Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 13.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 46
    Wokół strony -24% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.2 left arrow 1,519.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 3200
    Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,909.8 left arrow 13.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,519.2 left arrow 10.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    241 left arrow 2191
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania