RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2466
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link