RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
60
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2136
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link