RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2419
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link