RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2532
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link