RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
58
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
58
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1968
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link