RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2783
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link