RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2854
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link