RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2330
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link