RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
46
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
44
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2518
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link