RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2627
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link