RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2359
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link