RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2359
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link