RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2749
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link