RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2553
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link