RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
60
Wokół strony -233% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3663
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link