RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3073
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link