RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2768
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link