RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3461
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link