RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3183
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link