RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2839
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link