RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3483
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link