RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
60
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2824
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link