RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3134
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link