RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
60
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3564
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link