RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2863
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link