RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2373
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link