RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2971
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link