RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2388
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link