RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
60
Wokół strony -216% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3724
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link