RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
60
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2469
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link