RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3519
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link