RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
60
Wokół strony -233% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3609
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link