RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4112
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link