RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4219
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link