RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
60
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2301
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link