RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3501
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-173.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link