RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
60
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2634
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link