RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2312
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link