RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2740
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link