RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3034
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link