RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3034
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link