RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2441
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link