RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3054
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link