RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2670
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link