RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2408
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link