RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2408
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link