RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3683
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link