RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3436
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link