RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3332
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link