RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3460
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link