RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3174
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link