RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1758
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link